시스템 반도체용 초저유전재료
Ultralow k

Background 배경

무어의 법칙(Moore’s Law)을 능가하여 발전하는 고집적·고밀도 시스템 반도체의 속도는 트랜지스터의 스위칭(Switching) 속도가 아닌 구리배선에 의한 RC Delay 에 의해 결정되게 됩니다.
또한, 반도체 구조의 90% 이상을 차지하는 배선(interconnect)의 전력소모를 낮추기 위해서는 성능이 우수한 차세대 층간절연재료가 필요하며, 낮은 유전상수(Dielectric constant. k) 를 가지면서 동시에 반도체 후공정을 견딜수 있도록 우수한 기계적 강도(> 5 GPa)와 노드별 확장성 (extendibility)이 요구됩니다.

Problem 문제점

2004년부터 세계반도체로드맵(International Technology Roadmap for Semiconductor)에서는 k < 2.2의 초저유전재료를 요구해 왔지만 2018년인 지금까지도 개발에 성공한 연구소 및 기업이 없습니다. 문제는 유전상수(k)를 낮추기 위해서 기공을 넣게 되면 기계적 강도가 급격히 감소하기 때문입니다.

Solution 해결책

마이더스 머티리얼즈의 ULK 는 유전상수(k) < 2.0 에서 탄성율 (Modulus) > 7.0GPa이며, spin-on 공정 (SOD)을 사용하여 기존 CVD 공정보다 매우 경제적이고, 또한 확장성을 완벽히 갖추고 있습니다.